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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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BSZ340N08NS3 G 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSZ340N08NS3 G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 12A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 12µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 40V
功率_最大：32W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：剪切帶 (CT)

BSZ340N08NS3 G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 12A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 12µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 40V
功率_最大：32W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：帶卷 (TR)

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